Proceedings of the KAIS Fall Conference (한국산학기술학회:학술대회논문집)

The Korea Academia-Industrial cooperation Society (한국산학기술학회)
권호 표지

Photoresponsivity of ZnO Schottky barrier diodes

ZnO 산화물반도체(酸化物半導體)를 이용(利用)한 자외선(紫外線) 광(光)센서에 관한 연구(硏究)

  • Oh, Dong-Cheol (Dept of Defense Science and Technology, Hoseo University) ;
  • Han, Chang-Suk (Dept of Defense Science and Technology, Hoseo University) ;
  • Koo, Kyung-Wan (Dept of Defense Science and Technology, Hoseo University)
  • 오동철 (호서대학교, 국방과학기술학과) ;
  • 한창석 (호서대학교, 국방과학기술학과) ;
  • 구경완 (호서대학교, 국방과학기술학과)
  • Published : 2006.05.25
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Abstract

분자선(分子線)에피택시법(法)으로 성장(成長)한 ZnO 산화물반도체(酸化物半導體)를 이용(利用)하여 제작(製作)한 쇼트키배리어 다이오드에 대하여 자외선(紫外線) 광(光)센서로서의 광특성(光特性)을 조사(調査)한다. 첫째, 백색광(白色光) 조사시(照射時) 포화전류치(飽和電流値)가 100배(培) 이상(以上) 증가(增加)하는 광(光)여기 특성(特性)을 나타낸다. 둘째, 조사(照射)하는 �셈� 파장(波長)에 대하 390nm의 차단장파장(遮斷長波長)을 갖으며 195nm 이상(以上)의 밴드폭을 갖는 파장감도특성(波長感度特性)을 나타낸다. 셋째, 자외선(紫外線)에 대해 0.36msec의 시정수(時定數) 갖는 것으로 평가(評價)된다. 따라서, ZnO 산화물반도체(酸化物半導體)는 향후(向後) 자외선(紫外線) 광(光)센서소자의 재과(材科)로서 기대(期待)되어진다.

Keywords