65 nm이하 shallow trench isolation (STI) gap-fill 특성향상을 위한 profile 개선 연구

Study on profile improvement for sub-65 nm shallow trench isolation (STI) gap filling

  • 김희대 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 박창기 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 이내응 (성균관대학교 신소재공학과)
  • 발행 : 2006.10.19