낮은 에너지의 Ne 중성빔을 이용한 III-V족 화합물(InP)의 원자층 단위식각에 관한 연구

Atomic Layer Etching of III-V Compound(InP) using a Ne Neutral Beam of Low Energy

  • 오창권 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 박상덕 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 이형철 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 배정운 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 염근영 (성균관대학교 신소재공학과)
  • 발행 : 2006.10.19