The Simulation using LTCC Technology for High Q inductor realization

LTCC 공정을 이용한 High Q 인덕터 구현을 위한 Simulation

일반적인 CMOS공정으로는 높은 주파수 대역에서 높은 Q factor를 갖는 인덕터를 구현하는데 어렵고 이에 반해 RF ICs는 갈수록 high Q 를 가지는 인덕터가 요구되고 있다. 이를 LTCC 기판 위에 인덕터를 구현했을 때 높은 주파수 대역에서 성능을 알아보기 위해 모의 실험하였다. 인덕터를 설계하는데 있어서 인덕터 코일의 폭, 코일의 두께와 간격이 인덕터의 성능을 결정짓는다는 것을 고려하였고, MEMS 공정을 이용하여 high Q를 갖는 인덕터를 설계하였다. 인덕터의 전체 크기는 $330{\mu}m\;{\times}\;330{\mu}m$에서 선폭은 $30{\mu}m$, 선간의 간격은 $20{\mu}m$로 기판위에 $80{\mu}m$ 높이로 인덕터를 띄어서 설계하였고, 그리고 이를 LTCC 기판위에 high Q 의 인덕터 구현을 위해 simulation 한 결과가 Q값이 50 정도의 크기를 나타냈다.