한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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- Pages.268-268
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- 2006
MOCVD 법을 이용한 금속 기판 위에 $Yb_2O_3$ 박막 제조
Fabrication of $Yb_2O_3$ film on metallic substrate by MOCVD method
- Jung, Woo-Young (Korea Atomic Energy Research Institute) ;
- Jun, Byung-Hyuk (Korea Atomic Energy Research Institute) ;
- Park, Hae-Woong (Korea University Technology of Education) ;
- Hong, Gye-Won (Korea Polytechnic University) ;
- Kim, Chan-Joong (Korea Atomic Energy Research Institute)
- 발행 : 2006.06.22
초록
YBCO 초전도 박막을 제조하기 위해 일반적으로 사용되는 RABiTS공정을 통해 제조된 양축 정렬된 Ni 선재 위에 직접 YBCO를 증착시키려는 시도가 많이 이루어졌다. Ni 위에 직접 증착시킨 YBCO 박막은 c-축으로 정렬되는 온도에서 Ni이 확산되어 YBCO와 반응하여 초전도 물성을 약화시킨다. 이것을 방지하기 위하여 완층층을 먼저 증착을 하는 연구를 시행하였다. 본 연구는 Ni-5at.%W(100) 기판위에 hot-wall type MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)를 이용하여 증착을 실시하였다. 완층층으로는 Ni, YBCO와 각각 4.70%, 3.32%의 lattice mismatch를 갖는