한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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- Pages.238-239
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- 2006
게이트 절연막에 OTS를 처리한 후 활성층 Pentacene 성장에 따른 OTFT 전기적 특성
After treated the OTS of the gate insulator, the OTFT electric property of active layer Pentacene growth
- Son, Jae-Gu (Dept. Electronic Engineering, Cheong-ju Univ.) ;
- Oh, Teresa (Division of Electronic and Information Engineering, Cheong-ju Univ.) ;
- Kim, Hong-Bae (Division of Electronic and Information Engineering, Cheong-ju Univ.)
- 발행 : 2006.06.22
초록
본 논문은 게이트 절연막에 OTS(n-octadecy trichlorosilance) 혼합용액을 이용하여 SAMs(Self-Assembled Monolayers)막을 형성하였다. OTS 혼합용액은 OTS를 0.1w%와 0.5w% 각각을 클로로포름 30w%와 헥산 70w%에 혼합하여 만들었다. 이 혼합용액을 게이트 절연막위에 표면처리하였다. 활성층인 Pentacene이 게이트 절연막 위에 증착될 때, OTS 혼합용액의 비에 따라 누설전류특성을 보았다. OTS를 0.1w% 처리한것이 0.5w%보다 누설전류가 더 작게 나타났다. 결과적으로 OTFT의 게이트 절연막의 절열특성은 향상시키는데 OTS 혼합용액의 비가 큰 영향을 준다.