Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Growth of carbon nanotubes on AAO nanotemplate

양극산화 알루미늄 템플레이트를 이용한 탄소나노튜브의 성장

  • 최성헌 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이재형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 홍병유 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 최원석 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2006.06.22
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Abstract

본 논문에서 탄소나노튜브의 성장 제어를 위해 양극산화 알루미늄 템플레이트를 사용하였다. Si 기판위에 TiN과 Ni 층을 순서대로 증착하였으며 알루미늄을 그 위에 증착하였다. 또한 양극산화 과정은 수산법을 이용하였고 탄소나노튜브의 성장은 마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 성장하였다. 양극산화 알루미늄 층 과 탄소나노튜브의 관찰을 위해서 FE-SEM 을 사용하였으며 성장된 탄소나노튜브의 직경은 40 nm 이고 길이는 약 $1\;{\mu}m$ 내외로 확인되었다.

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