Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2006.10a
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- Pages.65-66
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- 2006
$Si0_2$ Passivation Effects on the Leakage Current in Dual-Gate AIGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
이중 게이트 AIGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터의 누설 전류 메커니즘과 $Si0_2$ 패시베이션 효과 분석
- Lim, Ji-Yong (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
- Ha, Min-Woo (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
- Choi, Young-Hwan (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
- Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering, Seoul National University)
- 임지용 (서울대학교 공과대학 전기 컴퓨터 공학부) ;
- 하민우 (서울대학교 공과대학 전기 컴퓨터 공학부) ;
- 최영환 (서울대학교 공과대학 전기 컴퓨터 공학부) ;
- 한민구 (서울대학교 공과대학 전기 컴퓨터 공학부)
- Published : 2006.10.27
Abstract
AIGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistors, HEMTs)는 와이드 밴드-갭과 높은 항복 전계 및 우수한 채널 특성으로 인해 마이크로파 응용분야와 전력용 반도체에서 각광받고 있다. 최근, 전력 응용분야에서 요구되는 높은 항복 전압과 출력, 우수한 주파수 특성을 획득하기 인해 이중 게이트 AIGaN/GaN HEHTs에 관한 연구가 발표되고 있다. 본 논문에서는 AIGaN/GaN HEMTs에 이중 게이트를 적용하여, 두 개의 게이트와 드레인, 소스의 누설 전류를 각각 측정하여 이중 게이트 AIGaN/GaN HEMTS의 누설 전류 메커니즘을 분석하였다. 또한 제안된 소자의
Keywords