Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2006.10a
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- Pages.40-41
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- 2006
Improvement of Electrical Characteristics of Vertical Trench Gate IGBT
수직형 트랜치 게이트 IGBT의 전기적 특성 향상을 위한 연구
- Lee, Jong-Seok (Korea University) ;
- Kang, Ey-Goo (Far East University) ;
- Sung, Man-Young (Korea University)
- Published : 2006.10.27
Abstract
본 논문은 수직형 트랜치 IGBT 구조에서 에미터를 트랜치로 형성하여 그 전기적인 특성을 MEDICI를 이용하여 고찰하였다. 제안한 구조의 항복전압과 온-상태 전압, 래치업 전류 그리고 턴-오프 시간이 기존 트랜치 IGBT에 비하여 향상되었음을 알 수 있었다. 항복전압은 트랜치 에미터에 의해 트랜치 게이트에 집중되는 전계를 완화시켜 일반적인 트랜치 IGBT보다 19%정도 향상되었으며 온-상태 전압과 래치업 전류는 각각 25%, 16% 정도 향상되었다. 하지만 제안된 구조의 턴-오프 시간은 무시할 수 있을 정도로 약간 증가하였음을 알 수 있었다.
Keywords