대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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- Pages.1406-1407
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- 2006
600V급 트렌치 게이트 LDMOSFET의 전기적 특성에 대한 연구
Electrical Characteristics of 600V Trench Gate Lateral DMOSFET Structure for Intelligent Power IC System
- 이한신 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실) ;
- 강이구 (극동대학교 정보통신학부) ;
- 신아람 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실) ;
- 신호현 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실) ;
- 성만영 (고려대학교 전기공학과 반도체 및 CAD 연구실)
- Lee, Han-Sin (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
- Kang, Ey-Goo (School of Information and Communication, Far East University) ;
- Shin, A-Ram (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
- Shin, Ho-Hyun (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
- Sung, Man-Young (Semiconductor & CAD Lab., Dept. of Electrical Engineering, Korea University)
- 발행 : 2006.07.12
초록
본 논문에서는 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET을 구조적으로 개선하여, 600V 이상의 순방향 항복 전압을 갖는 파워 MOSFET을 설계 하였다. 본 논문에서 제안한 구조로 기존의 250V급 트렌치 전극형 파워 MOSFET에 비하여 더욱 높은 순방향 항복 전압을 얻었다. 또한, 기존의 LDMOS 구조로 500V 이상의 항복 전압을 얻기 위해서
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