Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Etch damage evaluation of $(Bi_{4-x}La_x)Ti_{3}O_{12}$ thin films using inductively coupled plasma sources

유도결합 플라즈마를 이용한 $(Bi_{4-x}La_x)Ti_{3}O_{12}$ 박막의 식각 손상

  • Kim, Jong-Gyu (School of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University) ;
  • Kim, Gwan-Ha (School of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University) ;
  • Kim, Chang-Il (School of Electrical and Electronic Engineering, Chung-Ang University)
  • 김종규 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김관하 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부)
  • Published : 2006.07.12
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Abstract

Ar/$Cl_2$ 유도결합 플라즈마 (ICP)의 가스 혼합비에 따른 $(Bi_{4-x}La_x)Ti_{3}O_{12}$ 박막의 식각 메커니즘과 식각면에서의 플라즈마 손상을 조사하였다. BLT 박막의 최대식각률은 Ar/$Cl_2$ 플라즈마에서의 Ar 가스 혼합비가 80%일 때 50.8 nm의 값을 보였다. 정전 탐침을 통해 Ar 가스의 혼합비에 따른 전자온도와 전자밀도를 관측하였다. 박막 표면의 X-ray photoemission spectroscopy 분석과 박막의 이력곡선을 통해 BLT 박막의 식각 손상은 Cl 원자와의 반응에 의한 화학적 식각 손상이 BLT 박막 표면에서의 Ar 이온충돌에 의한 물리적 손상보다 더 크다는 것을 확인 할 수 있었다.

Keywords