Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Hysteresis Phenomenon of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistors for an Active Matrix Organic Light Emitting Diode

능동형 유기 발광 다이오드(AMOLED)에서 발생하는 수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 (Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Transistor)의 이력 (Hysteresis) 현상

  • Choi, Sung-Hwan (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
  • Lee, Jae-Hoon (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
  • Shin, Kwang-Sub (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
  • Park, Joong-Hyun (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
  • Shin, Hee-Sun (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University)
  • 최성환 (서울대학교 전기.컴퓨터 공학부) ;
  • 이재훈 (서울대학교 전기.컴퓨터 공학부) ;
  • 신광섭 (서울대학교 전기.컴퓨터 공학부) ;
  • 박중현 (서울대학교 전기.컴퓨터 공학부) ;
  • 신희선 (서울대학교 전기.컴퓨터 공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기.컴퓨터 공학부)
  • Published : 2006.07.12
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Abstract

수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si:H TFT)의 이력 현상이 능동형 유기 발광 다이오드(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 패널을 구동할 경우에, 발생할 수 있는 잔상(Residual Image) 문제를 단위 소자 및 회로에서 실험을 통하여 규명하였다. 게이트 시작 전압을 바꾸어 VGS-ID 특성을 측정할 경우, 게이트 시작 전압이 5V에서 시작한 VGS-ID 곡선이 10V에서 시작한 VGS-ID 곡선에 비해 왼쪽으로 0.15V 이동하였다. 이러한 결과는 게이트 시작 전압의 차이에 의해 발생한 트랩된 전하량(Trapped Charge) 변화로 설명할 수 있다. 또한, 인가하는 게이트 전압 간격을 0.5V에서 0.05V로 감소시켰을 때 전하 디트래핑 비율의 변화(Charge De-trapping Rate)로 인하여, 이력 현상(Hysteresis Phenomenon)으로 인한 단위 소자에서의 문턱전압의 변화가 0.78V에서 0.39V로 감소함을 관찰하였다. 제작된 2-TFT 1-Capacitor의 ANGLED 화소에서 (n-1)번째 프레임에서의 OLED 전류가 (n)번째 프레임에서의 OLED 전류에 35%의 전류오차를 발생시키는 것을 측정 및 분석하였다.

Keywords