Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Study on Post Annealing Dependence of BST Thin Films

열처리에 따른 BST 박막의 특성에 관한 연구

  • Chi, Ming Lu (Dept. Electronic Engineering, Chongju University) ;
  • Park, In-Chul (Dept. Electronic Engineering, Chongju University) ;
  • Kwon, Hak-Yong (Dept. Electronic Engineering, Chongju University) ;
  • Son, Jae-Goo (Dept. Electronic Engineering, Chongju University) ;
  • Kim, Hong-Bae (Division of Information Engineering and Telecommunication, Chongju University)
  • 최명률 (청주대학교 대학원 전자공학과) ;
  • 박인철 (청주대학교 대학원 전자공학과) ;
  • 권학용 (청주대학교 대학원 전자공학과) ;
  • 손재구 (청주대학교 대학원 전자공학과) ;
  • 김홍배 (청주대학교 이공대학 전자정보공학부)
  • Published : 2005.07.07
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Abstract

본 논문에서는 p-type (100)Si. (100)MgO 그리고 MgO/Si 기판 위에 RF Magnetron sputtering 법으로 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST) 박막을 증착 후 $600^{\circ}C$ 의 질소분위에서 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용한 1 분간의 고온 급속열처리를 하였다. XRD 측정결과 모든 기판에서 (110) $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$의 주피크가 관찰되어졌고, 열처리 후 피크 세기가 증가함을 확인할 수 있었다. C-V 특성에서 각각의 기판에서 측정된 커패시턴스 값으로 계산된 유전율은 120(bare Si), 305(MgO/Si) 그리고 310(MgO)이었다. 누설 전류 특성에서는 150KV/cm이내의 인가전계에서 0.1$uA/cm^2$이하의 안정된 누설전류값을 보여주었다. 결론적으로 MgO 버퍼층을 이용한 기판이 BST 박막의 증착을 위한 기판으로써 효과적임을 알 수 있었다.

Keywords