한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2005.11a
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- Pages.446-461
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- 2005
IGCC용 반응소결용 SiC 고온 가스 필터 개발
Abstract
본 연구에서는 반응소결 탄화규소 다공질 지지체 개발을 위하여 SiC/C로 이루어진 성형체를 사용한 Si melt infiltration 공정 및 SiC/C/Si으로 이루어진 성형체를 사용하는 Si embedding 공정 개발이 이루어졌다. 개발된 반응소결 탄화규소 다공질 지지체의 기공률은 38% 이상이었으며 평균기공은 130
Keywords