한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2005.06a
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- Pages.205-208
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- 2005
Silicon thin films and solar cells by HWCVD
열선 화학 기상 증착법에 의한 실리콘 박막 및 태양전지 특성
- Kim Sang-Kyun ;
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Lee Jeong Chul
;
- Jeon Sang Won ;
- Lim Chung Hyun ;
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Ahn Sae Jin
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Yun Jae Ho
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Kim Seok Ki
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Song Jinsoo
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Park S-J
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Yoon Kyung Hoon
- 김상균 (한국에너지기술연구원) ;
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이정철
(한국에너지기술연구원) ;
- 전상원 (한국에너지기술연구원) ;
- 임충현 (한국에너지기술연구원) ;
-
안세진
(한국에너지기술연구원) ;
-
윤재호
(한국에너지기술연구원) ;
-
김석기
(한국에너지기술연구원) ;
-
송진수
(한국에너지기술연구원) ;
-
박성주
(한국에너지기술연구원) ;
-
윤경훈
(한국에너지기술연구원)
- Published : 2005.06.01
Abstract
최근 열선 화학 기상 증착법(HWCVD)은 낮은 온도에서 TFT용 Poly Si 중착을 할 수 있다는 점과 실리콘 박막을 빠른 속도로 증착할 수 있다는 점에서 각광을 받고 있다. 본 연구에서는 HWCVD를 이용하여 태양전지를 제조하고 그 특성을 평가하였다. 조건에 따른 실리콘 박막의 특성 변화를 알기 위해 corning glass 및 실리콘 wafer에 다양한 조건에서 단위 박막(intrinsic layer)을 증착하였고 이 결과를 바탕으로 p/i/n 구조의 태양전지를 제조하였다. Ta 열선 온도는 1700-2000도였고 가스 원료인