Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2005.07c
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- Pages.1884-1886
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- 2005
Thin film transistor with pulsed laser deposited ZnO active channel layer
펄스 레이저 증착법으로 제작한 ZnO를 채널층으로 한 박막트랜지스터
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Shin, P.K.
(INHA Univ.)
;
- Kim, C.J. (INHA Univ.) ;
- Song, J.H. (Sejong Tech. Ltd.) ;
- Kim, S.J. (DONGHAE Univ.) ;
- Kim, J.T. (KIPO) ;
- Cho, J.S. (KIPO) ;
- Lee, B.S. (KIPO) ;
- Ebihara, Kenji (Kumamoto Univ.)
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신백균
(인하대학교 전자전기공학부)
;
- 김창조 (인하대학교 전자전기공학부) ;
- 송진호 ((주)세종기술) ;
- 김소정 (동해대학교 전기전자공학과) ;
- 김종택 (특허청) ;
- 조재신 (특허청) ;
- 이백수 (특허청) ;
- Published : 2005.07.18
Abstract
KrF 펄스 레이저 증착법(pulsed laser deposition: PLD)으로 ZnO 박막을 증착하여 평판 디스플레이 소자 구동용 박막 트랜지스터(thin film transistor) 소자를 제작하였다. 전도성이 높은 실리콘웨이퍼(c-Si, 하부전극) 기판 위에 LPCVD 법으로 silicon nitride 박막을 절연막으로 형성하고, 다양한 공정 조건에서 펄스 레이저 증착법으로 제작한 ZnO 박막을 증착하여 채널층으로 하였으며, Al 박막을 증착하고 패터닝하여 소스 및 드레인 전극으로 하였다. ZnO 박막의 증착 시에 기판 온도를 다양하게 조절하고 산소 분압을 변화시켜 ZnO 박막의 특성을 조절하였다. 제작된 박막의 표면특성은 AFM(atomic force microscopy)로 분석하고, 결정특성은 XRD(X-ray diffraction)로 조사하였다. ZnO 박막의 전기적 특성은 Hall-van der Pauw 법으로 측정하였고, 광학 투과도(optical transparency)를 UV-visible photometer로 조사하였다. ZnO-TFT 소자는
Keywords