한국산학기술학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KAIS Fall Conference)
- 한국산학기술학회 2005년도 춘계학술발표논문집
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- Pages.45-47
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- 2005
질소분압에 따른 TaNx 코팅층의 미세조직과 TCR 특성 변화
Microstructure and TCR Properties of TaNx Thin Films Coated under various $Ar/N_2$ Fraction
- 김선화 (순천향대학교 신소재공학과) ;
- 최용락 (순천향대학교 신소재공학과) ;
- 한승용 (순천향대학교 신소재공학과) ;
- 송규호 (순천향대학교 신소재공학과) ;
- 정준혁 (순천향대학교 신소재공학과)
- Kim Seon-Hwa (Dept of Materials Engineering, Soonchunhyang University) ;
- Choi Yong-Lak (Dept of Materials Engineering, Soonchunhyang University) ;
- Han Seong-Ryong (Dept of Materials Engineering, Soonchunhyang University) ;
- Ho Song-Gyu (Dept of Materials Engineering, Soonchunhyang University) ;
- Jung Jun-Hyuck (Dept of Materials Engineering, Soonchunhyang University)
- 발행 : 2005.05.01
초록
전기, 전자, 우주, 자동차, 무기 등의 여러 분야에서 응용되고 있는 고정밀, 고저항체 박막인 TaNx 다층박막을 반응성 마그네트론 스퍼터링법으로 제조하여 질소분압에 따른 TCR 특성 변화를 조사하고, XRD와 SEM 관찰을 통하여 미세조직이 전기적 성질에 미치는 영향을 알아보았다. 제조된 TaNx 박막의 전기저항은 질소분율이 증가함에 따라 저온보다 고온에서 전기저항이 감소함을 보여 뚜렷한 (-)TCR 특성을 나타내었다. XRD 분석 결과,
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