PLD 법으로 제작된 Ga-doping 농도에 따른ZnO/ sapphaire(0001) 박막의 표면특성

  • 임희섭 (동의대학교 기초과학연구소) ;
  • 손종윤 (동의대학교 기초과학연구소) ;
  • 유윤식 (동의대학교 물리학과)
  • Published : 2004.08.19