($p-Si_{0.83}Ge_{0.17}/Si(001)$기판위에 Si capping layer를 이용하여 형성시킨 nickel silicide의 전기적 및 구조적 특성)

  • 장치환 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 신동옥 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 이내응 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 심규환 (전자통신연구소(ETRI) 반도체부) ;
  • 김영운 (서울대학교 재료공학부)
  • Published : 2004.02.11