($SiH_{2}Cl_{2}$와 $NH_{3}$를 이용하여 원자층 증착법으로 형성된 실리콘 질화막의 특성)

• 김운중 (세종대학교 신소재공학과) ;
• 한창희 (한밭대학교 재료공학과) ;
• 나사균 (한밭대학교 재료공학과) ;
• 이연승 (한밭대학교 정보통신컴퓨터공학부) ;
• 이원준 (세종대학교 신소재공학과)

• Kim, Un-Jung ;
• Han, Chang-Hui ;
• Na, Sa-Gyun ;
• Lee, Yeon-Seung ;
• Lee, Won-Jun

• 발행 : 2004.02.11

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