HEMT 소자내 계곡간 산란율의 2차원적 해석에 관한 연구

A Study of Two-Dimensional Intervalley Scattering Rate in HEMT Device

  • 이준하 (상명대학교 컴퓨터시스템공학전공 정보디스플레이연구소) ;
  • 이홍주 (상명대학교 컴퓨터시스템공학전공 정보디스플레이연구소)
  • Lee Jun-Ha (Information Display Research Center, Dept. of Computer System, Sangmyung University) ;
  • Lee Hoong-Joo (Information Display Research Center, Dept. of Computer System, Sangmyung University)
  • 발행 : 2004.06.01

초록

슈뢰딩거와 포아송 방정식의 연계풀이에 의해 수치해석적으로 구한 파동함수와 에너지 준위를 이용하여 $300^{\circ}$K에서 사각우물을 형성하는 $Al_xGa_{1-x}As/Ga_yIn_{l-y}As/GaAs$ HEMT 소자 채널 영역에서의 극성광학 포논, 음향 포논, 압전 산란, 이은화된 불순물 산란, 그리고 합금 산란에 대한 2차원 산란율을 계산하여, 같은 영역에서의 3차원 산란율과 비교하였다. 그 결과 bulk영역에서 가장 우세한 이온화된 불순물 산란이, 2-DEG 시스템에서 크게 감소되었음을 알 수 있었는데, 이는 변조 도핑에 의하여 이온화된 불순물을 2-DEG가 존재하는 채널영역의 불순물 양을 감소시켰기 때문으로 해석된다.

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