Plating of Cu layer with the aid of organic film on Si-wafer

유기박막을 이용한 Si기판상의 구리피복층 형성에 관한 연구

  • Park Ji-hwan (Division of material and chemical engineering, SoonChunHyang university) ;
  • Park So-yeon (Division of material and chemical engineering, SoonChunHyang university) ;
  • Lee Jong-kwon (Division of material and chemical engineering, SoonChunHyang university) ;
  • Song Tae-hwan (Division of material and chemical engineering, SoonChunHyang university) ;
  • Ryoo Kun-kul (Division of material and chemical engineering, SoonChunHyang university) ;
  • Lee Yoon-bae (Division of material and chemical engineering, SoonChunHyang university)
  • 박지환 (순천향대학교 신소재화학 공학과) ;
  • 박소연 (순천향대학교 신소재화학 공학과) ;
  • 이종권 (순천향대학교 신소재화학 공학과) ;
  • 송태환 (순천향대학교 신소재화학 공학과) ;
  • 류근걸 (순천향대학교 신소재화학 공학과) ;
  • 이윤배 (순천향대학교 신소재화학 공학과)
  • Published : 2004.06.01

Abstract

본 논문에서는 Si wafer와 Cu사이의 밀착력을 증가시키기 위해 Si wafer전처리 후 plasma와 SAMs처리 방법에 의한 Cu도금의 형성에 관한 방법을 설명하였다. Si wafer를 Piranha solution과 $0.5\%$ HF처리 후 유기박막인 SAMs과 plasma를 이용하는 방법으로 wafer와 Cu층 사이의 밀착력을 증가시켰다. 도금층의 밀착력은 scratch test 로 측정하였으며, AEM을 이용해 시편에 형성된 패턴의 형태를 관찰하고 SEM과 EDS를 이용해 시편의 조직을 관찰하였다. 그 결과 Si wafer를 O2, He, SAMs를 혼합처리 했을 때 밀착성이 가장 우수하였다.

Keywords