전력전자학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIPE Conference)

전력전자학회 (The Korean Institute of Power Electronics)
권호 표지

반도체 스위치를 이용한 고압 펄스 파워 발생기

High-voltage Pulse Power Generator Using Semiconductor switches

  • Kim J. H. (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)) ;
  • Ryu M. Y. (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)) ;
  • Shenderey S. (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)) ;
  • Kim J. S. (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI)) ;
  • Rim G. H. (Korea Electrotechnology Research Institute (KERI))
  • 발행 : 2004.07.01
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초록

본 논문은 반도체 스위치를 이용한 고압 펄스 발생기에 관한 연구이다. PSII (Plasma Source Ion Implantation)의 전원 장치로 사용되었으며, 기존의 hard switch나 싸이로트론 등을 이용한 고압 펄스 파워 발생기에 비해 다음과 같은 장점을 가진다. 장수명, 고효율과 펄스 크기, 반복률, 펄스폭 등의 조정이 자유로운 높은 유연성 등의 장점이다. 또한 제안된 펄스 발생기에서 사용된 반도체 스위치는 12개의 IGBT가 직렬로 연결되어 있으며, 그 중 하나의 스위치만 능동 구동기 두개가 존재하고 나머지 스위치는 수동 구동기만으로 구성되어 있어, 구동기가 매우 간단한 장점을 가지고 있다.

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