NAND Flash Memory Management Using Spare Area

스페어 영역을 활용한 NAND 플래시 메모리 관리

  • Lee Ok-Hee (Graduate School of Information and Communications, Hanyang University) ;
  • Kim Jin-Ho (Electronics and Telecommunications Research Institute) ;
  • Cha Jae Hyuk (Graduate School of Information and Communications, Hanyang University)
  • 이옥희 (한양대학교 정보통신대학원) ;
  • 김진호 (한국전자통신연구원) ;
  • 차재혁 (한양대학교 정보통신대학원)
  • Published : 2004.11.01

Abstract

플래시 메모리에서의 가비지 컬렉션은 유효하지 않은 데이타를 블록단위로 지우고 새로운 데이터를 할당할 수 있는 영역으로 만들어 주는 것을 의미하는데. 이것은 읽기/쓰기 작업에 비해 많은 시간을 요구하므로 빈번한 가비지 컬렉션은 시스템의 성능을 저하시킨다. 본 논문에서는 NAND 플래시 메모리에 데이타 베이스의 레코드 저장방식을 이용하여 데이타를 투플 단위로 저장하였고, 스페어 영역을 변경하여 이러한 작업이 편리하게 진행되도록 하였다. 가비지 컬렉션 시 투플의 크기에 따른 페이지 병합 작업 또한 스페어 영역의 정보를 이용하며, 이것은 실제 활용 가능한 페이지 수를 늘림으로써 가비지 컬렉션의 횟수를 줄이고 성능을 향상시킨다.

Keywords