표면 수직 입사 방식의 완전 공핍 광 싸이리스터 레이저 다이오드

Depleted optical thyristor - Laser Diode using surface-normal injection method

  • 최운경 (중앙대학교 광전자 및 광통신 연구실) ;
  • 김두근 (중앙대학교 광전자 및 광통신 연구실) ;
  • 최영완 (중앙대학교 광전자 및 광통신 연구실) ;
  • 이석 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 우덕화 (중앙대학교 광전자 및 광통신 연구실) ;
  • 변영태 (중앙대학교 광전자 및 광통신 연구실) ;
  • 김재헌 (중앙대학교 광전자 및 광통신 연구실) ;
  • 김선호 (중앙대학교 광전자 및 광통신 연구실)
  • 발행 : 2004.07.08

초록

We present the first demonstration of the vertical-injection depleted optical thyristor laster diode with InGaAs/InGaAsP multiple quantum well structure. The measured switching voltage and current are 3.36 V and 10 A respectively. The holding voltage and current are respectively 1.37 V, 100 A. The lasing threshold current is 131 mA at 25 C. The output peak wavelength is at 1578 nm at a bias current equal to 1.22 times threshold.

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