Study on Hydrogen Implantation at High Temperature for Fabrication of GaAs-on-Si wafers for Optical Devices

광소자용 GaAs-on-Si 웨이퍼 제작을 위한 고온 수소 이온 주입에 관한 연구

  • 변영태 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 김형권 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 김태곤 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 김선호 (한국과학기술연구원 광기술연구센터) ;
  • 한상국 (연세대학교 전기전자공학과) ;
  • 우형주 (한국지질자원연구원 환경지질연구부)
  • Published : 2004.02.12