Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2004.11a
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- Pages.151-154
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- 2004
Voltage-Current Characteristics of a Single Nanowire with an Etching process
에칭에 따른 단일 나노선의 전압-전류 특성 변화
- Yim, Chan-Young (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
- Kim, Kang-Hyun (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
- Won, Boo-Ne (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
- Kang, Hae-Yong (Korea University BK21 Information Technology) ;
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Kim, Gyu-Tae
(Department of Electrical Engineering, Korea University)
;
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Kim, Sang-Sig
(Department of Electrical Engineering, Korea University)
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Kang, Won
(Department of Physics, Ewha Women's University)
- 임찬영 (고려대 전기공학과) ;
- 김강현 (고려대 전기공학과) ;
- 원부운 (고려대 전기공학과) ;
- 강해용 (고려대 BK21 정보기술사업단) ;
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김규태
(고려대 전기공학과)
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김상식
(고려대 전기공학과)
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강원
(이화여대 물리학과)
- Published : 2004.11.11
Abstract
화합물 반도체 단일 나노선의 에칭 효과를 보기 위하여 에칭 용액과 시간을 달리하면서 전류-전압 특성을 측정하였다. 측정을 위한 단일 나노선 소자는 Electron beam lithography를 이용하여 전극을 top contact 방식으로 만들었다. 에칭은 식각과정에서 현상된 상태의 패턴에서 수행하며 금속 전극과 나노선 접합 부분만을 에칭 하였다. 에칭용액은 Buffered Oxide Etchant(BOE)을 이용하였으며 에칭 시간은 수 십초에서 수 십분까지 다양하게 하였다. 전압-전류 특성 측정결과에서 에칭 용액과 에칭 시간에 따라 전류가 증가하는 것을 확인 할 수 있었다. 이러한 효과는 나노선 외곽에 비정질 산화층의 제거 효과로 인한 것으로 설명할 수 있다.