대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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- Pages.20-22
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- 2004
문턱전압 열화를 최소화하는 비정질 실리콘 TFT 유기 EL 용 화소 회로
Polarity-Balanced Driving to Reduce $V_{TH}$ Shift in a-Si for Active-Matrix OLEDs
- 이혜진 (서울대학교 공과대학 전기, 컴퓨터공학부) ;
- 유봉현 (서울대학교 공과대학 전기, 컴퓨터공학부) ;
- 이재훈 (서울대학교 공과대학 전기, 컴퓨터공학부) ;
- 남우진 (서울대학교 공과대학 전기, 컴퓨터공학부) ;
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한민구
(서울대학교 공과대학 전기, 컴퓨터공학부)
- Lee, Hye-Jin (School of Electric Engineering and Computer Science, Seoul National University) ;
- You, Bong-Hyun (School of Electric Engineering and Computer Science, Seoul National University) ;
- Lee, Jae-Hoon (School of Electric Engineering and Computer Science, Seoul National University) ;
- Nam, Woo-Jin (School of Electric Engineering and Computer Science, Seoul National University) ;
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Han, Min-Koo
(School of Electric Engineering and Computer Science, Seoul National University)
- 발행 : 2004.11.05
초록
유기 EL(Organic Light Emitting diode : OLED)은 자체발광 소자로서 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display)에 비해 빠른 응답속도, 넓은 시야각 등의 뛰어난 화질 표현이 가능하다. 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 전류가 OLED의 휘도를 결정하므로, 고품질의 영상을 위해 미세한 TFT 전류 조절 능력이 매우 중요하다. 비정질 실리콘(a-Si) TFT는 그레인 구조를 갖는 다결정 실리콘(poly-Si) TFT에 비해 균일한 전기적 특성을 나타내지만, 장시간 구동에 따른 문턱전압의 열화가 발생한다. 본 논문에서는 상기의 문제점을 최소화하기 위하여 positive bias에 의한 열화를 negative bias로 어닐링하는 구동방법을 제안하였다. 본 회로는 2개의 게이트 선택 신호와 6개의 a-Si TFT로 이루어져 있다. 실험 결과를 통해 추출된 소자 parameter를 바탕으로 제안된 회로의 simulation을 수행 및 검증하였다. 본 회로는 a-Si TFT에서 발생하는 문턱전압 열화 등의 신뢰성 문제를 감소시킨다.
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