비 자성층을 사용한 Double Barrier Tunneling Transistor의 특성과 금(Au)으로의 스핀 주입

• 이유종 (고려대학교 응용물리학과) ;
• 주성중 (고려대학교 응용물리학과) ;
• 조영준 (고려대학교 응용물리학과) ;
• 김희성 (고려대학교 응용물리학과) ;
• 홍진기 (고려대학교 응용물리학과) ;
• 이긍원 (고려대학교 응용물리학과) ;
• 박왕현 (한국과학기술연구원(KIST)) ;
• 신경호 (한국과학기술연구원(KIST)) ;
• 이병찬 (인하대학교) ;
• 김태석 (서울대학교)

• 발행 : 2004.12.01

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