The Reliability Test using SILC of Gate Dielectrics Made of ($HfO_2-Al_2O_3$) Multilayers

SILC(Stress Induced Leakage Current)를 이용한 하프늄산화막-알루미나($HfO_2-Al_2O_3$) 적층 유전반막의 전기적 신뢰성 실험

  • Published : 2003.04.18