Formation of nanoscale SiNx islands by using the ionized N2 gas on the silicon substrate of different surface orientation

• Go, Chang-Hun ;
• Jeong, Min-Cheol ;
• Han, Mun-Seop ;
• Ham, Cheol-Yeong ;
• Jeon, Seung-Ho ;
• Park, Gyeong-Wan ;
• Park, Yong-Ju

• 고창훈 (서울시립대학교 물리학과) ;
• 정민철 (서울시립대학교 물리학과) ;
• 한문섭 (서울시립대학교 물리학과) ;
• 함철영 (서울시립대학교 나노과학기술학과) ;
• 전승호 (서울시립대학교 나노과학기술학과) ;
• 박경완 (서울시립대학교 나노과학기술학과) ;
• 박용주 (한국과학기술원 나노소자연구센터)

• Published : 2003.02.14

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