Deep Level Transient Spectroscopy법에 의한 InAs/InP 자발형성 양자점의 전기적 특성연구

• 김진석 (한양대학교 물리학과) ;
• 김은규 (한양대학교 물리학과) ;
• 황희돈 (서울대학교 재료공학부) ;
• 윤의준 (서울대학교 재료공학부) ;
• 김종현 (한국기초과학지원연구소) ;
• 박일우 (한국기초과학지원연구소) ;
• 한일기 (KIST 나노소자연구센터) ;
• 박용주 (KIST 나노소자연구센터)

• Kim, Jin-Seok ;
• Kim, Eun-Gyu ;
• Hwang, Hui-Don ;
• Yun, Ui-Jun ;
• Kim, Jong-Hyeon ;
• Park, Il-U ;
• Han, Il-Gi ;
• Park, Yong-Ju

• 발행 : 2003.08.20

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