저온 동시 합성법을 이용한 나노급 인듐 주석 산화물 분말 제조

Fabrication of ITO nanoparticles using co-synthesis method under low temperature

  • 홍성제 (전자부품연구원 디스플레이연구센터) ;
  • 최승석 (전자부품연구원 디스플레이연구센터) ;
  • 김영훈 (전자부품연구원 디스플레이연구센터) ;
  • 이찬재 (전자부품연구원 디스플레이연구센터) ;
  • 한정인 (전자부품연구원 디스플레이연구센터)
  • 발행 : 2003.07.10

초록

본 연구에서는 저온 동시 합성법을 이용하여 ITO 나노 분말을 제조하였다. 저온 동시 합성법은 기존의 염화 인듐 및 염화 주석 염이 아닌 인듐 및 주석 유기물 염들을 사용하므로 기존의 $600{\sim}700^{\circ}C$가 아닌 $300^{\circ}C$ 이하에서 공정이 가능하고, 이로써 초미세급의 나노 분말을 얻을 수 있다. 또한 두가지 유기물 염을 동시에 산화시킴으로써 한번에 동시 합성이 가능하다. 이러한 저온 동시 합성법으로 제조한 나노 분말을 분석한 결과 분말의 크기는 평균 5 nm, 비 표면적은 약 $104m^2/g$ 이었다. 또한 EDS 및 XRD 분석 결과 분말의 결정상은 $In_2O_3$ 격자 내에 $3{\sim}8%$의 Sn이 고용된 [222], [400], [440]의 입방정 구조인 고품질의 ITO 나노 분말을 제조할 수 있었다.

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