한국광학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Optical Society of Korea Conference)

한국광학회 (Optical Society of Korea)
권호 표지

1.3um 비냉각형 AlGaInAs BH FP-LD 제작 및 고온특성

Fabrication and High Temperature Characteristics of 1.3um Uncooled AlGaInAs BH FP Laser Diodes

  • 김현수 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자랩) ;
  • 황선령 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 김준연 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 강중구 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 방영철 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 박성수 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 이은화 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 김태진 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자랩) ;
  • 유준상 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자랩)
  • 발행 : 2003.07.01
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초록

최근 들어 저가용 광통신 소자를 제조하기 위한 방법으로 TEC를 사용하지 않는 비냉각형(uncooled) 레이저에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이를 위해 반도체 레이저를 형성하는 화합물 반도체 재료 적인 측면에서는 기존에 널리 사용되는 InGaAsP계 물질에 비해 AlGaInAs계 물질구조는 큰 conduction band offset ($\Delta$Ec=$\Delta$O.72Eg) 등으로 인해 고온에서 전자의 overflow를 억제하고 균일한 hole injection으로 인해 우수한 고온특성과 높은 이득(gain)을 보이는 장점을 지니고 있다. (중략)

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