Proceedings of the Optical Society of Korea Conference (한국광학회:학술대회논문집)

Optical Society of Korea (한국광학회)
권호 표지

AIGaInAs Seletive Area Growth using MOCVD for Spot Size Converter Laser Diode

Spot Size Converter 레이저 다이오드 제작을 위한 AIGaInAs 선택적 영역 성장

  • 방영철 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자랩) ;
  • 김현수 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 김준연 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 이은화 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 이중기 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 김태진 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 박성수 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 황선령 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자) ;
  • 강중구 (삼성전자 정보통신총괄 통신연구소 Network연구팀 광전자랩)
  • Published : 2003.07.01
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Abstract

초고속 광전송 네트워크에 사용되는 광부품으로 단일 모드 광섬유와의 낮은 광 결합 손실을 가지는 레이저 다이오드 개발이 필수적이다. 이러한 레이저 다이오드의 요구되는 특성으로써 저가의 광부품 제작을 위해 thermoelectric cooler 없이 고온에서 안정된 동작을 하는 uncooled type에, 광 isolator 도움없이 광반사에 의한 광손실을 줄여야 한다. 이러한 요건을 충족시키기 위하여 선택적 영역 MOCVD성장을 이용한 InP／InGaAsP 계열의 SSC-LD(spot-size converter integrated LD)를 연구하여 왔다. (중략)

Keywords