In situ 타원법을 사용한 광기록매체용 GeSbTe 박막의 최적성장조건 연구

Optimum Growth Condition of Phase Change GeSbTe Thin Films as an Optical Recording Medium using in situ Ellipsometry

  • 이학철 (아주대학교 분자과학기술학과) ;
  • 김상열 (아주대학교 분자과학기술학과)
  • 발행 : 2003.02.01

초록

타원법(ellipsometry)을 사용하여 광기록 매체용 Ge$_2$Sb$_2$Te/sub 5/(GST) 박막의 성장과정에 따른 타원상수 Ψ와 $\Delta$를 측정하여, GST 박막의 최적성장조건을 연구하였다. 아르곤기체압력과 DC 출력 그리고 기판의 온도를 변화시키면서 GST 박막을 성장시켰다. 제작된 시료들의 분광타원 데이터를 모델링분석하여 GST 박막의 밀도분포를 구하고 한편으로는 GST 박막이 성장하는 동안 측정한 in situ 타원 성장곡선을 분석하여 박막의 밀도분포의 변화를 추적하였다. (중략)

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