Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)
- 2003.11a
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- Pages.225-225
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- 2003
Inductively coupled Plasma Reactive ion etching of Ge doped silica glass using $C_2F_6$ and $NF_3$
$C_2F_6$ 및 $NF_3$ 유도결합플라즈마를 이용한 $SiO_2$ :Ge 식각에관한 연구
Abstract
실리카글라스를 기초로 하는 PLC소자는 가격, 광 손실 성질과 광섬유와의 결합효율이 좋아 광통신에 응용되어지고 있으며 Ge 도핑된 실리카 글라스는 PLC소자의 코어물질로 널리 사용되고 있다. 소작제작을 위해서는 높은 식각률과 깨끗하고 적은 표면손상을 얻어야 하므로 유도결합플라즈마를 이용한 건식식각공정개발이 이루어 져야 한다. 본 연구에서는 Ge 도핑된 실리카글라스의 식각특성을 연구하기 위해
Keywords