Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Ru-SiC schottky diode fabrication and characterisation

Ru, SiC 쇼트키 다이오드 제작 및 특성평가

  • 송인복 (서울대학교 재료공학부 박막실험실) ;
  • 김형준 (서울대학교 재료공학부 박막실험실) ;
  • 나훈주 (서울대학교 재료공학부 박막실험실) ;
  • 김대환 (서울대학교 재료공학부 박막실험실) ;
  • 정상용 (서울대학교 재료공학부 박막실험실) ;
  • 송호근 (서울대학교 재료공학부 박막실험실) ;
  • 엄명윤 (서울대학교 재료공학부 박막실험실)
  • Published : 2003.11.01
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Abstract

SiC는 wide bandgap 물질로서 그 material properties로 인하여, high tmperature, high power, high frequency영역으로의 사용이 기대되는 물질이다. 따라서 SiC에 대한 기본적인 연구와 더불어, 그 소자 제작 및 응용에의 연구가 절실한 시점이다. 이에, SiC 기본적인 소자중 하나인 Schottky diode에 대해 연구하였다. 본 논문은 Schottky contact 물질로써 현재까지 연구가 미비한 Ru을 사용하였다. Ru은 Pt 계열물질로써, 다른 metal에 비하여 열역학적으로 안정하며, 또한 그의 산소 화합물인 RuO2는 다른 oxide에 비하여 전도성 이 높은 장점을 가지고 있다. 따라서 Ru-SiC diode는 이러한 측면에서 연구할 만한 가치가 있다.

Keywords