Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

H-termination effect and electrical property of SiO2/CVD-HfAlO/Pt-electrode gate stack

SiO2/CVD-HfAlO/Pt-electrode gate 구조에서 H-termination효과 및 전기적 특성의 관찰

  • 최지훈 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 이치훈 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 박재후 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 이석우 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 황철성 (서울대학교 재료공학부) ;
  • 김형준 (서울대학교 재료공학부)
  • Published : 2003.11.01
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Abstract

최근 전자재료분야 중 고집적 소자를 다루는 분야에서는 산화규소 유전박막의 두께가 얇아짐에 따라 상부전극과 하부기판 사이에서 발생하는 누설전류가 큰 문제가 되었다. 따라서 이를 극복하기 위해 고유전상수를 가진 두꺼운 유전박막을 사용하기 시작하였는데, 그 중 대표적 인 것이 하프늄옥사이드(HfO2)와 알루미나(A12O3)이다. HfO2의 장점은 큰 유전상수를 갖는다는 것이고, A1203의 장점은 열적 안정성 이 뛰어나며, 높은 bandgap에너지를 갖는 것인데, 이 둘의 장점을 살려서 보다 편리한 방법으로 박막을 증착한 것이 바로 HfAlO이다.

Keywords