한국재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference)

한국재료학회 (Materials Research Society of Korea)
권호 표지

전자 조사된 실리콘 $p^--n^-$ 접합 다이오드의 transient 거동

Reverse recovery and other electrical properties of an electron-irradiated silicon $p^--n^-$ junction diode

  • 엄태종 (인하대학교 재료공학부) ;
  • 강승모 (인하대학교 재료공학부) ;
  • 박현아 (인하대학교 재료공학부) ;
  • 김상진 (인하대학교 재료공학부) ;
  • 김현우 (인하대학교 재료공학부) ;
  • 이종무 (인하대학교 재료공학부) ;
  • 조중렬 (아주대학교 전자공학부) ;
  • 김계령 (양성자기반 공학기술 개발사업단)
  • 발행 : 2003.05.01
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초록

전력반도체 소자로 사용되는 p$^{-}$-n$^{-}$ 접합 다이오드의 스위칭 속도를 향상시키고 그에 따른 에너지 손실을 감소시키기 위해 전자 조사를 실시하였다. Reverse recovery time이 현저히 감소한 반면, 전자 조사에 의한 누설전류와 on-state 전압 강하와 같은 그 외의 전기적 특성 저하는 무시할 수 있는 정도였다. 그밖에 시료의 deep level transient spectroscpy(DLTS) 분석 결과와 secondary ion mass spectrometry(SIMS) depth profile을 근거로 결함 분포와 전자조사 유도결함의 유형을 논하였다.

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