한국재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference)
- 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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- 2003
$BCl_3$ 와 $BCl_3/Ar$ 유도결합 플라즈마에 따른 GaAs 건식식각 비교
Comparison of Dry Etching of GaAs in Inductively Coupled $BCl_3$ and $BCl_3/Ar$ Plasmas
초록
고밀도 유도결합 플라즈마(high density inductively coupled plasma) 식각은 GaAs 이종접합 양극성 트랜지스터(HBTs)와 고속전자 이동도 트랜지스터(HEMTs)와 같은 GaAs 기반 반도체의 정교한 패턴을 형성하는데 더욱 많이 이용되고 있다 본 연구는 고밀도 플라즈마 소스(source)인 평판형(planar) 고밀도 유도결합 플라즈마 식각장치를 이용하여
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