BCl$_{3}$를 이용한 GaN계 질화합물 반도체의 RIE에 관한연구

Studies on reactive ion etching of GaN using BCl$_{3}$

BCl/sub 3/ 및 Cl/sub 2/ 반응가스를 사용하여 RIE 장치로 GaN의 건식식각을 연구하였다. RF 전력, 반응가스의 유량 및 반응가스의 혼합비 등의 변화에 따른 최적의 식각공정 조건 및 결합특성을 연구하였다. RF 전력에 따른 GaN의 식각율은 챔버압력 25mTorr, BCl/sub 3/ 유량 40 sccm의 조건에서 RF 전력이 100W일때 17nm/min을 얻었다. BCl/sub 3/의 유량에 따른 식각율은 RF 전력 100W 챔버압력 20mTorr, Cl/sub 2/ 유량 5sccm의 조건에서 BCl/sub 3/ 유량이 40 sccm일때 65nm/min을 얻었다. Cl/sub 2//BCl/sub 3/ 혼합가스 비율에 따른 식각율은 Cl/sub 2/ 유량을 5sccm으로 고정하고 BCl/sub 3/ 유량을 변화시켰을때 RF 전력 100W 및 챔버압력 20mTorr의 조건에서 혼합비가 0.25일때 50nm/min을 얻었다. RF 전력에 따른 PR의 식각율은 챔버압력 25mTorr, Cl/sub 2/ 유량 0 sccm 및 BCl/sub 3/ 유량 40 sccm의 조건에서 RF 전려이 100W일때 15nm/min을 얻었다. 또한, 챔버압력 20mTorr, Cl/sub 2/ 유량 5 sccm 및 BCl/sub 3/ 유량 20sccm의 조건에서 RF 전력이 100W 일때 82nm/min을 얻었다.