Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)
- 1998.06a
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- Pages.363-366
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- 1998
Hot carrier effect of nMOSFET's at elevated temperatures
온도증가에 따른 nMOSFET의 Hot carrier effect 변화
- Won, Myoung-Kyu (Dept. of Electronic Eng. Sogang Univ.) ;
- Kim, Do-Hyung (Dept. of Electronic Eng. Sogang Univ.) ;
- An, Chul (Dept. of Electronic Eng. Sogang Univ.)
- Published : 1998.06.01
Abstract
25.deg. C 에서 120.deg. C까지 온도를 증가시키면서 hot carrier effect에 의한 nMOSFET의 degradation을 drain current와 transconductance의 변화를 통해 알아보았다. 온도가 증가할수록 hot carrier에 의한 degradation 이 전체적으로 줄어드는 것을 볼수 있었다. stress를 가한 후 reverse mode로 측정하였는데 saturation 영역보다 linear 영역에서 drain current의 degradation이 크게 나탔으며 온도가 증가할수록 이러한 경향이 유지되면서 degradation이 감소하였다. transconductance는 linear 영역과 saturation 영역에서 각각 측정하였는데 온도가 증가할수록 linear 영역의 degradation이 더많이 감소하였다.
Keywords