Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference (한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집)

The Korean Microelectronics and Packaging Society (한국마이크로전자및패키징학회)
권호 표지

Fabrication of Si Photodiode with Overlapped Anode

중첩된 양극 구조의 Si 포토다이오드 제작

  • 장지근 (단국대학교 전자컴퓨터학부 전자공학전공) ;
  • 조재욱 (단국대학교 전자컴퓨터학부 전자공학전공) ;
  • 황용운 (단국대학교 전자컴퓨터학부 전자공학전공)
  • Published : 2003.11.01
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Abstract

상하로 양극 영역이 중첩된 새로운 Si 포토다이오드를 제작하고 이의 전기광학적 특성을 조사하였다. 제작된 소자의 역포화전류와 이상계수는 각각 68pA와 1.8로 나타났으며 -3V 바이어스에서 측정된 접합 커패시턴스는 8.3 pF로 나타났다. 또한 $100mW/cm^2$, AMI 스펙트럼 조건에서 -3V 바이어스 아래 측정된 광전류와 감도특성은 각각 $60\;{\mu}A$와 6 A/W로 나타났다.

Keywords