Si (111) 기판 위에 다양한 AlN 완충층을 이용한 GaN 성장과 특성 비교

  • 신희연 (성균관대학교 공과대학 신소재공학과) ;
  • 이정욱 (성균관대학교 공과대학 신소재공학과) ;
  • 정성훈 (성균관대학교 공과대학 신소재공학과) ;
  • 유지범 (성균관대학교 공과대학 신소재공학과) ;
  • 양철웅 (성균관대학교 공과대학 신소재공학과)
  • 발행 : 2002.02.19