Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2002.06a
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- Pages.172-173
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- 2002
Studies of Selectivity and RIE-lag in Deep Small Contact Hole Etching for Sub-100nm Devices
100nm급 이하 소자에서 Deep Small Contact Hole Etching시 선택비와 RIE-lag 에 관한 연구
- Yeo, S.W. (Process Development Team, Semiconductor R&D Division, Samsung Electronics Co.,Ltd) ;
- Jeon, J.S. (Process Development Team, Semiconductor R&D Division, Samsung Electronics Co.,Ltd) ;
- Chi, K.K. (Process Development Team, Semiconductor R&D Division, Samsung Electronics Co.,Ltd) ;
- Nam, B.Y. (Process Development Team, Semiconductor R&D Division, Samsung Electronics Co.,Ltd) ;
- Kang, C.J. (Process Development Team, Semiconductor R&D Division, Samsung Electronics Co.,Ltd) ;
- Han, W.S. (Process Development Team, Semiconductor R&D Division, Samsung Electronics Co.,Ltd) ;
- Moon, J.T. (Process Development Team, Semiconductor R&D Division, Samsung Electronics Co.,Ltd)
- 여상원 (삼성전자(주) 반도체연구소 공정개발팀) ;
- 전정식 (삼성전자(주) 반도체연구소 공정개발팀) ;
- 지경구 (삼성전자(주) 반도체연구소 공정개발팀) ;
- 남병윤 (삼성전자(주) 반도체연구소 공정개발팀) ;
- 강창진 (삼성전자(주) 반도체연구소 공정개발팀) ;
- 한우성 (삼성전자(주) 반도체연구소 공정개발팀) ;
- 문주태 (삼성전자(주) 반도체연구소 공정개발팀)
- Published : 2002.06.27
Abstract
Keywords