한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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- Pages.240-243
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- 2002
다공성 실록샌 물질의 박막특성 향상을 위한 KrF laser 표면개질
Surface modification using KrF laser irradiation for properties improvement of poros siloxane materials
- Kim, Jung-Bae (Samsung Advanced Institute of Technology) ;
- Jeong, Hyun-Dam (Samsung Advanced Institute of Technology) ;
- Lee, Sun-Young (Samsung Electronics) ;
- Yim, Jin-Heong (Samsung Advanced Institute of Technology) ;
- Rhee, Ji-Hoon (Samsung Advanced Institute of Technology) ;
- Shin, Hyeon-Jin (Samsung Advanced Institute of Technology)
- 발행 : 2002.11.07
초록
반도체 소자의 고속화， 고접적화에 따라 집적회로의 최소 선폭이 감소할수록 device 의 신호지연, 잡음 및 전력소모 등이 증가하는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위해서 저유전율의 층간 절연막이 절대적으로 필요하다. 본 실험에서는 KrF laser 조사를 이용한 표면개질 방법으로 다공성 절연막의 박막특성의 향상을 시도하였다. 다공성 절연막을 층간 절연막으로 응용할 경우 반도체 공정 적용성을 향상시키기 위하여 다공성 절연막의 표면개질이 필요하다. 표면개질 전후의 유전율 변화는 박막을 MIM구조로 측정하였고 화학 구조의 변화는 time-of flight secondary ion mass spectrometry(TOF-SIMS)를 이용하여 관찰하였다. 다공성 실록샌 물질의 pore로 인해서 생긴 누설전류 및 흡습 문제를 개선시키고 유전율을 감소시킬 수 있는 것을 알 수 있었다.