연성 전극을 이용한 대칭형 박막 다이오드 제작

Fabrication of symmetrical thin film diodes using flexible electrodes

  • 이찬재 (전자부품연구원 디스플레이연구센터) ;
  • 홍성제 (전자부품연구원 디스플레이연구센터) ;
  • 문대규 (전자부품연구원 디스플레이연구센터) ;
  • 한정인 (전자부품연구원 디스플레이연구센터)
  • 발행 : 2002.04.27

초록

연성 AI 전극을 이용하여 플라스틱 기판 위에 대칭성 박막 다이오드를 제작하였다. 다이오드의 구조는 $Al/Ta_{2}O_{5}/Al$의 3층 구조로 되어 있다 상부 AI 전극 제작시 하부 AI 전극의 손상을 방지하기 위해 무(無)식각 공정을 개발, 적용하였다. AI 전극을 사용한 결과 단단한 Ta 전각에서 나타난 변형 빛 균열 문제가 해결되었다. 또한 상부 빛 하부의 대칭성 전극 구조로 제작함으로써 I-V 곡선이 완벽한 대칭형의 우수한 전기적 특성을 얻을 수 있었다.

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