한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
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- Pages.84-91
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- 2002
HWE 방법에 의한 $AgGaS_2$ /GaAs epilayer 성장과 특성
Study of characteristics of $AgGaS_2$ /GaAs epilayer by hot wall epitaxy
- 홍광준 (조선대학교 물리학과) ;
- 정준우 (조선대학교 물리학과) ;
- 방진주 (조선대학교 물리학과) ;
- 진윤미 (조선대학교 물리학과) ;
- 김소형 (조선대학교 물리학과) ;
- 여회숙 (조선대학교 물리학과) ;
-
양해정
(조선대학교 물리학과)
- Hong, K.J. (Department of Physics, Chosun University) ;
- Jeong, J.W. (Department of Physics, Chosun University) ;
- Bang, J.J. (Department of Physics, Chosun University) ;
- Jin, Y.M. (Department of Physics, Chosun University) ;
- Kim, S.H. (Department of Physics, Chosun University) ;
- Yoe, H.S. (Department of Physics, Chosun University) ;
-
Yang, H.J.
(Department of Physics, Chosun University)
- 발행 : 2002.08.24
초록
The stochiometric composition of
키워드