일정하지 않은 분포를 갖는 자기장에 의한 자화반전에 대한 연구

Magnetic tunneling junction을 이용한 MRAM의 실용화에 있어서 무엇보다 중요한 요소 중의 하나는 밀도를 높이는 것으로, MRAM이 경쟁력을 갖는 메모리 소자가 되기 위해서는 소자의 크기를 submicron 영역까지 줄여야 한다. 소자의 크기가 submicron까지 줄어도 end domain이 존재하는데, 이것은 자화반전을 incoherent하게 일어나게 함으로써 자기저항비를 감소시키고, 또한 자화반전을 불규칙하게 함으로써 자화반전이 일어나는 자기장의 크기가 일정하게 되지 않기 때문에 소자의 신뢰성에 큰 문제를 야기시킨다 [1]. (중략)